关于举办宽禁带半导体国际前沿报告会的预告

为推进宽禁带半导体的应用和发展，应广西精密导航技术与应用重点实验室、广西无线宽带重点实验室和信息与通信学院邀请，日本国立佐贺大学郭其新教授、沙特国王科技大学李晓航教授、北京大学刘放特聘副研究员将来校做关于宽禁带半导体国际前沿报告，欢迎全校师生踊跃参加。报告具体安排如下：

报告时间：2025年7月28日（星期一）上午9：00-11：00

报告地点：信息与通信学院402会议室

报告人简介：

郭其新：日本国立佐贺大学电气电子系教授，博士生导师。日本九州大学客座教授、上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室客座教授、中国科学院客座研究员。1990年、1992年和1996年在日本国立丰桥技术科学大学电气电子系获得学士、硕士和博士学位。2012年至2022年，担任佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任。主要从事化合物半导体材料制备与表征及同步辐射应用研究。迄今在Nature Commun.、Phys. Rev. B、J. Appl. Phys.、Appl. Phys. Lett.、Adv. Mat.等期刊发表了论文380多篇，累计被引用超过11000次，H因子为54。入选斯坦福大学全球前2%顶尖科学家榜单，Elsevier出版集团顾问编辑。

李晓航：沙特国王科技大学（KAUST）电子与计算机工程及应用物理系的教授，同时也是该校技术创新与创业项目的创始任务组主席，KAUST国际创新中心副主任。佐治亚理工学院博士，并荣获该学院授予博士生的最高荣誉——爱迪生奖。从事于宽禁带半导体在下一代电子学和光子学领域的前沿研究。在《自然·电子学》《先进材料》《光科学与应用》《Optica》等著名期刊上发表了190多篇论文，拥有30多项已授权的美国专利。获得多项知名奖项，包括美国晶体生长协会的哈罗德·M·马纳塞维特青年研究员奖、国际光学工程学会（SPIE）的D·J·洛弗尔奖学金、电气与电子工程师协会（IEEE）光子学研究生奖学金以及佐治亚理工学院40位40岁以下杰出校友奖。所在团队获得国际宽禁带半导体会议（IWN）、国际氮化物半导体会议（ICNS）和SPIE的最佳学生奖和最佳论文奖。曾担任《光子学研究》和《半导体学报》的副主编，以及《先进电子材料》和《先进材料界面》的客座编辑，《自然·电子学》《自然·光子学》《自然·材料》等期刊的审稿人，并任职于多个顶级会议的委员会。

刘放：北京大学特聘副研究员。主要从事氮化镓基半导体材料生长、界面物理与发光器件研究，迄今在Science Advances、Nature Communications、AdvancedMaterials等学术期刊发表论文36篇，授权国家发明专利19项及美国发明专利2项；主持国家自然科学基金委原创探索计划项目/面上项目/青年项目、科技委工程项目等，曾入选国家博士后创新人才支持计划（合作导师为王新强教授）；获2024年度北京市技术发明一等奖、2022年度日内瓦国际发明展金奖和2022年度中国光学学会光学科技奖一等奖等。

报告介绍：

郭其新：超宽带隙半导体的研究现状。超宽带隙（UWBG）半导体，包括AlN，BN，金刚石和Ga2O3是广泛研究工作的前沿，涵盖了广泛的材料，物理，器件和应用。微尺度发光二极管（μ led）在增强现实和虚拟现实显示中的应用引起了人们的广泛关注。实现高像素密度、高效率、亮度、稳定发射和全彩发射是μ led的关键。然而，实现全彩μLED显示技术面临挑战，因为传统的传质工艺需要从不同的外延片上提取和精确传递红、绿、蓝μLED芯片。稀土（RE）掺杂半导体，其特点是由稀土离子核心的4f-壳层内跃迁引起的强而锐利的发射，在彩色显示和发光器件中有着广阔的应用前景。在利用稀土掺杂氮化镓实现可见光发射方面，前人做了大量的努力。研究表明，采用超宽带隙基质可以显著提高掺杂发射的发光效率。我们已经分别从Eu，Er和Tm掺杂的超宽带隙Ga2O3薄膜中清晰地观察到红色，绿色和蓝色的发射。我们还观察到，与re掺杂GaN薄膜相比，re掺杂Ga2O3薄膜的归一化发射强度表现出较小的温度变化。研究半导体的光学发光现象提供了对主晶格和缺陷的有价值的见解，为增强生长过程提供了重要的信息。同步辐射以其显著的光子能量可调性和高亮度而成为研究超宽带半导体的理想激励源。我们在日本佐贺光源（Saga - ls）建造了佐贺大学光束线BL13，作为此类研究的平台。在这次演讲中，我们将介绍发光实验系统的最新进展，并分享有关UWBG半导体的实验发现。

李晓航：面向摩尔定律未来的宽带隙化合物半导体。包括AlN、GaN、Ga2O3和In2O3在内的（超）宽带隙化合物半导体引起了人们的极大兴趣。与其他已知的半导体相比，它们在功率和射频应用方面具有更大的优点。此外，它们可以应用于极具影响力的量子信息技术和深紫外可见光电子学。此外，它们还有望用于More Moore、More than Moore和Beyond Moore应用。本次研讨会将涵盖基于摩尔定律的（超）宽带隙半导体的最新材料、器件和IC研究。

刘放：垂直结构GaN基LED/micro-LED准范德华外延及界面剥离研究。氮化镓（GaN）基宽禁带半导体与二维材料的异构集成是超越衬底限制，开发柔性发光二极管（LED）、垂直结构LED、小尺寸micro-LED等新型发光器件的前沿方案。然而，材料体系差异导致的复杂界面为相关研究带来了巨大挑战，特别是在薄膜晶体质量和器件波长均匀性等方面。